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[轉(zhuǎn)載]碳化硅在分布式光伏發(fā)電逆變器上的絕佳應(yīng)用案例
文章作者：poshing 上傳更新：2024-08-06
根據(jù)國際能源署（IEA）2019年10月的報告，到2024年，可再生能源發(fā)電量將增長50％。這意味著全球可再生能源發(fā)電量將增加1200GW，相當(dāng)于美國目前的裝機量。該報告預(yù)測，可再生能源中約有60％將以太陽能光伏（PV）的形式出現(xiàn)。
圖1. 2019 – 2024年按技術(shù)分類的可再生能源產(chǎn)能增長
圖2. 2007 – 2024年分布式光伏產(chǎn)能增長情況
為什么太陽能光伏發(fā)電在可再生能源容量的增長如此重要？一個明顯的原因是太陽能非常容易直接利用，尤其是偏遠(yuǎn)地區(qū)或離網(wǎng)區(qū)域。另一個明顯的原因是太陽能很多，根據(jù)計算，海平面上，每平方米每天可產(chǎn)生1kW電力，如果考慮諸如日/夜周期，入射角，季節(jié)性等因素，每天每平方米或可以產(chǎn)生6kWh電量。
與所有能量轉(zhuǎn)換過程一樣，并非所有輸入太陽能電池的能量都以首選的電形式輸出。實際上，多年來，單晶硅太陽能電池的效率一直徘徊在20％至25％之間。但是，太陽能光伏發(fā)電的機會是如此巨大，以至于數(shù)十年來，研究團隊一直在努力使用日益復(fù)雜的結(jié)構(gòu)和材料來提高電池轉(zhuǎn)換效率，如NREL的這張圖所示。
圖3. 1976年至2020年全球研究太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率的進(jìn)展（NREL）（此圖由美國科羅拉多州國家可再生能源實驗室提供）
許多太陽能光伏設(shè)備依靠各種形式的多晶硅或硅、碲化鎘或硒化銅銦鎵的薄膜，轉(zhuǎn)換效率在20％至30％的范圍內(nèi)。單元內(nèi)置在模塊中，這些模塊是太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)的基本單元。
20%-30%是理想狀態(tài)，實際上轉(zhuǎn)換效率可能會因各種原因而降低轉(zhuǎn)換效率：降雨，積雪和灰塵沉積，材料老化以及環(huán)境變化，例如由于植被的生長或新建筑物的安裝而增加陰影。
逆變器通過切換直流輸入電流的極性來工作，使其接近交流輸出。開關(guān)頻率越高，轉(zhuǎn)換效率越高。簡單的開關(guān)即可產(chǎn)生方波輸出，可以驅(qū)動負(fù)載，但是諧波會損失更多的電流。因此，逆變器需要平衡開關(guān)頻率以提高效率、工作電壓和功率容量，此外還需要針對最小化方波的輔助組件成本之間的進(jìn)行平衡。
碳化硅（SiC）在太陽能發(fā)電應(yīng)用中比硅具有多種優(yōu)勢，其擊穿電壓是傳統(tǒng)硅的十倍以上， SiC器件還具有比硅更低的導(dǎo)通電阻，柵極電荷和反向恢復(fù)電荷特性，以及更高的熱導(dǎo)率。這些特性意味著SiC器件可以在比硅等效器件更高的電壓，頻率和電流下切換，同時更有效地管理散熱。
硅MOSFET廣泛用于高達(dá)300V的開關(guān)應(yīng)用中，高于該電壓時，器件的導(dǎo)通電阻上升，設(shè)計者不得不轉(zhuǎn)向較慢的雙極器件。 SiC的高擊穿電壓意味著它可以用來制造比硅中可能的電壓高得多的MOSFET，同時保留了低壓硅器件的快速開關(guān)速度優(yōu)勢。開關(guān)性能也相對獨立于溫度，從而在系統(tǒng)升溫時實現(xiàn)穩(wěn)定的性能。
SiC的導(dǎo)熱系數(shù)也是硅的三倍，可以在更高的溫度下運行。硅在175℃左右就無法正常運行，甚至在200攝氏度時直接會變成導(dǎo)體。而SiC直到1000℃左右才發(fā)生這種情況?？梢酝ㄟ^兩種方式利用SiC的熱特性。首先，它可以用于制造功率轉(zhuǎn)換器，而該轉(zhuǎn)換器所需的冷卻系統(tǒng)要少于等效的硅系統(tǒng)。另外，SiC在較高溫度下的穩(wěn)定運行可用于空間非常寶貴的情況下制造密集的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，例如車輛和蜂窩基站。
這些優(yōu)勢在太陽能轉(zhuǎn)換效率更高的功率升壓電路中發(fā)揮了重要作用。該電路設(shè)計為使太陽能電池陣列的輸出阻抗（隨入射光的水平而變化）與逆變器所需的輸入阻抗相匹配，以實現(xiàn)最佳的轉(zhuǎn)換。
最左圖顯示了成本最低的方法，該方法使用硅二極管和MOSFET。如中圖所示，第一個優(yōu)化方案是用SiC版本取代硅二極管，這將提高電路的功率密度和轉(zhuǎn)換效率，從而降低系統(tǒng)成本。如右圖所示，也可以用SiC等效替代硅MOSFET，這為設(shè)計人員提供了更多的開關(guān)頻率選擇，從而進(jìn)一步提高了電路的轉(zhuǎn)換效率和功率密度。
還有許多采用熟悉的D2PAK和TO247格式的1200V SiC MOSFET，典型RDSon低至20mW。
對于那些想要在太陽能光伏裝置中利用SiC的人，安森美半導(dǎo)體還開發(fā)了一系列兩通道或三通道的SiC升壓模塊，用于太陽能逆變器。
<p style="padding: 0px; margin: 0px 0px 20px; position: relative; font-family: " helvetica="" neue",="" helvetica,="" "hiragino="" sans="" gb",="" pinghei,="" "pingfang="" sc",="" stheitisc-light,="" "microsoft="" yahei",="" "lantinghei="" arial,="" sans-serif;="" max-width:="" 100%;="" color:="" rgb(119,="" 119,="" 119);="" font-size:="" 16px;"="">SiC功率器件比硅替代品具有許多優(yōu)勢，包括其切換高壓的能力以及高速，低損耗和良好熱性能的電流。盡管目前它們在同類基礎(chǔ)上可能比硅產(chǎn)品更貴（如果可以使用硅替代產(chǎn)品），但它們在系統(tǒng)內(nèi)的良好性能可以帶來總成本的節(jié)省，例如散熱成本，面積成本等。然后是效率問題，如果部署SiC可以提高2%的效率，那將產(chǎn)生額外的10GW電能。
