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- 碳化硅外延技術(shù)規(guī)范 [2021-02-23]
- 型號(hào)4英寸N型6英寸N型厚度120微米及以下120微米及以下濃度區(qū)間2E14-1E19 cm-38E14-1E19 cm-3濃度均勻性≤8%≤8%厚度均勻性≤2%≤2%
- 硅外延技術(shù)規(guī)范 [2021-02-23]
- 序號(hào)特征參數(shù)測試方法1外延層摻雜劑Boron, Phosphorus, Arsenic2外延層晶向<100>, <111>3外延層電阻率外延爐直徑類型外延片電阻率均勻性
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